Charge-pumping studies of hot-carrier effects in submicrometer PMOSFETs

In this study, a constant amplitude charge-pumping (CP) measurement system was successfully setup. This system was used to analyse hot-carrier effects in submicrometer p-channel MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) during hot-carrier stress and after termination of hot-carrier...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ang, Chew Hoe
مؤلفون آخرون: Wong, Terence Kin Shun
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/19732
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English