Development of semiconductor lasers emitting in the visible (0.6 um) to mid-infrared (2.6 um) regions
The project established the basic technologies in the development of the semiconductor laser diode in NTU. The scope includes epitaxial growth, laser device processing, as well as laser performance characterization and analysis.
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Research Report |
| منشور في: |
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/3041 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|