Development of NTU CMOS process for SiGe BiCMOS technology

Wafer fabrication was completed in the Micro Fabrication laboratory (MFL) on two types of starting substrate. Electrical measurement of the fabricated devices showed that selected parameters in the DOE slightly missed the target values. Based on the electrical measurement results, a new set of param...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Wang, Jianpeng.
مؤلفون آخرون: Tse, Man Siu
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/3663
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University