Development of NTU CMOS process for SiGe BiCMOS technology
Wafer fabrication was completed in the Micro Fabrication laboratory (MFL) on two types of starting substrate. Electrical measurement of the fabricated devices showed that selected parameters in the DOE slightly missed the target values. Based on the electrical measurement results, a new set of param...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
منشور في: |
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/3663 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |