Resistive switching in metal-oxide-metal structures for non-volatile memory application
Underlying mechanism of metal-oxide-metal resistive switching device has been of long research interest. Several models have been proposed based different types of materials used. Recent studies showed that oxygen vacancies present at Schottky junction type metal oxide (especially Strontium Titanate...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2012
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/48481 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |