Design, simulation and fabrication of silicon nanowire based nanoelectronics devices

Silicon nanowire (SiNW) has drawn great research attention in recent years due to its high aspect ratio and unique electrical properties, which arise from quantum confinement effects and changes in the wave function of charge carriers, density of states, effective mass and bandgap. It has the potent...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Sun, Yongshun
مؤلفون آخرون: Rusli
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2012
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/50627
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!