High frequency noise modeling in low inversion region

The design of the low-voltage low-power RF circuit has become increasingly grown in demand. The existence of noise in MOSFET is one of the main challenges of the low-voltage low-power RFIC design. The performance of RF circuits strongly relies on upon how accurate the high frequency noise characteri...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Chan, Kelvin Lye Hock
مؤلفون آخرون: Yeo Kiat Seng
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/63796
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!