Ultra-wideband switches using defected ground structure low pass filter in 65nm CMOS technology
Designing ultra-wideband switches that can operate from DC to millimeter-wave frequency range is very challenging, and that is especially true when the packaging of the switches is also taken into consideration. Due to nearby cut-off frequency ifc) and maximum oscillation frequency (fmax) of 65 nm C...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Anak Agung Alit Apriyana |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Zhang Yue Ping |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2015
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/65434 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Multifingers capacitances modeling of 65-Nm CMOS transistor by unit cell method
بواسطة: Agung, Alit Apriyana Anak, وآخرون
منشور في: (2013) -
Miniaturized wideband coupler for 60-GHz band in 65-nm CMOS technology
بواسطة: Chew, Peng Siew, وآخرون
منشور في: (2019) -
An area and energy efficient ultra-low voltage level shifter with pass transistor and reduced-swing output buffer in 65-nm CMOS
بواسطة: Le, Van Loi, وآخرون
منشور في: (2019) -
Analysis and design of on-chip antenna and its switch in 65nm CMOS
بواسطة: Deng, Tianwei
منشور في: (2013) -
Design of SPST/SPDT switches in 65nm CMOS for 60GHz applications
بواسطة: He, Jin, وآخرون
منشور في: (2010)