Ordered boron nitride thin film growth with reactive magnetron sputtering

Boron Nitride thin films were deposited on pieces of diced Si wafer using High-power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS) with a pure boron target. The growth parameters of N2 gas flow ratio and substrate temperature were varied. The thin films were characterised using Fourier Transform Infrared sp...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Loh, Li Quan
مؤلفون آخرون: Teo Hang Tong Edwin
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: 2017
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/70626
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English