Ordered boron nitride thin film growth with reactive magnetron sputtering
Boron Nitride thin films were deposited on pieces of diced Si wafer using High-power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS) with a pure boron target. The growth parameters of N2 gas flow ratio and substrate temperature were varied. The thin films were characterised using Fourier Transform Infrared sp...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/70626 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
كن أول من يترك تعليقا!