Mid-infrared emissive InAsSb quantum dots grown by metal–organic chemical vapor deposition

InAsSb islands/quantum dots (QDs) emitting at wavelength >2.8 μm were self-assembled on InP substrate by using metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD). Instead of using arsine, the safer organic tert-butylarsine (TBAs) was used as the arsenic source in the growth process. Effects of the g...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Tang, Xiaohong, Zhang, Baolin, Yin, Zongyou
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2016
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/82076
http://hdl.handle.net/10220/39757
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English