導出完成 — 

Flip-Flop SR Latch Logic Operation for Spin Orbit Torque-Magnetic Tunnel Junction Circuitry

In recent years, spin transfer torque (STT)-magnetic random access memory (MRAM) was seen as one of the most promising candidates for next-generation non-volatile memory. STT-MRAM was seen as a potential candidate to replace complementary metal oxide semiconductor (CMOS)-based memory in the field of...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Loy, Desmond Jia Jun
مؤلفون آخرون: Lew Wen Siang
التنسيق: Student Research Poster
اللغة:English
منشور في: 2016
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/84141
http://hdl.handle.net/10220/41618
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!