Flip-Flop SR Latch Logic Operation for Spin Orbit Torque-Magnetic Tunnel Junction Circuitry
In recent years, spin transfer torque (STT)-magnetic random access memory (MRAM) was seen as one of the most promising candidates for next-generation non-volatile memory. STT-MRAM was seen as a potential candidate to replace complementary metal oxide semiconductor (CMOS)-based memory in the field of...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Student Research Poster |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/84141 http://hdl.handle.net/10220/41618 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|