Lanthanide-based graded barrier structure for enhanced nanocrystal memory properties
A memory structure comprising Ge nanocrystals and lanthanide-based charge trapping dielectric stack was fabricated to realize a self-aligned graded barrier structure. By exploiting efficient charge trapping of the nanocrystals embedded in the heterogeneous high-k dielectric, strong memory eff...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2012
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/95023 http://hdl.handle.net/10220/8007 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|