Ni(Pt) alloy silicidation on (100) Si and poly-silicon lines
The roles of the Pt in Ni-(5 at.% Pt) alloy reaction on narrow c-Si (100) and polysilicon (poly-Si) lines by rapid thermal annealed (RTP) in the range of 400 to 900 °C were studied. By the addition of Pt as an alloying element, the phase stability of NiSi on Si(100) was enhanced and the retardation...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Pey, Kin Leong, Lee, Pooi See, Mangelinck, D. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97213 http://hdl.handle.net/10220/10478 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Phase and layer stability of Ni- and Ni(Pt)-silicides on narrow poly-Si lines
بواسطة: Mangelinck, D., وآخرون
منشور في: (2012) -
Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si
بواسطة: Mangelinck, D., وآخرون
منشور في: (2012) -
Nickel silicide formation on Si(100) and Poly-Si with a presilicide N2 + implantation
بواسطة: Mangelinck, D., وآخرون
منشور في: (2013) -
Comparative study of current-voltage characteristics of Ni and Ni(Pt)- alloy silicided p+/n diodes
بواسطة: Mangelinck, D., وآخرون
منشور في: (2012) -
On the morphological changes of Ni- and Ni(Pt)-silicides
بواسطة: Mangelinck, D., وآخرون
منشور في: (2012)