Correspondence: Effects of deliberate copper contamination from the plating solution on the electrical characteristics of MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Tee, K.C., Prasad, K., Lee, C.S., Gong, H., Cha, C.L., Chan, L., See, A.K.
• مؤلفون آخرون: MATERIALS SCIENCE
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Contamination; Copper; MOSFET; Silicon
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/106993
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/66.920729