Plasma deposition of low dielectric constant (κ=2.2-2.4) Boron Nitride on methylsilsesquioxane-based nanoporous films
10.1063/1.1808909
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113204 |
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| 機構: | National University of Singapore |
| 總結: | 10.1063/1.1808909 |
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