Plasma deposition of low dielectric constant (κ=2.2-2.4) Boron Nitride on methylsilsesquioxane-based nanoporous films

• المؤلفون الرئيسيون: Jun, L., Kian, P.L., Ming, L., Yong, L.F., Wei, D.W., Dong, Z.C.
• مؤلفون آخرون: CHEMICAL AND PROCESS ENGINEERING CENTRE
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113204

10.1063/1.1808909