High-quality doped polycrystalline silicon using low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)

10.1016/j.egypro.2018.09.014

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Padhamnath, P, Nandakumar, N, Kitz, BJ, Balaji, N, Naval, MJ, Shanmugam, V, Duttagupta, S
مؤلفون آخرون: SOLAR ENERGY RESEARCH INST OF S'PORE
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: Elsevier BV 2019
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/155039
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!