Accessing valley degree of freedom in bulk Tin(II) sulfide at room temperature

10.1038/s41467-018-03897-3

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lin, S, Carvalho, A, Yan, S, Li, R, Kim, S, Rodin, A, Carvalho, L, Chan, E.M, Wang, X, Castro Neto, A.H, Yao, J
مؤلفون آخرون: CENTRE FOR ADVANCED 2D MATERIALS
التنسيق: مقال
منشور في: Nature Publishing Group 2020
الموضوعات:
tin
الوصول للمادة أونلاين:https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/174230
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore