A Threshold Voltage Model for Charge Trapping Effect of AlGaN/GaN HEMTs

10.1109/ACCESS.2019.2937545

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Jia, Y., Wen, Z., Chen, Y., Xie, C.-C., Guo, Y.-X., Xu, Y.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2021
الموضوعات:	dispersion HEMTs III-V semiconductor materials scattering parameters Semiconductor device modeling threshold voltage
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/212344
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة