Growth of indium gallium nitride (InGaN) on porous gallium nitride (GaN) template by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)

• المؤلفون الرئيسيون: CHUA, SOO JIN, HARTONO, HARYONO, SOH, CHEW BENG
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Patent
• منشور في: 2012
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/34940
• المؤسسة: National University of Singapore

US20090001416A1