A low-power Low-VDD nonvolatile latch using spin transfer torque MRAM

10.1109/TNANO.2013.2280338

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Huang, K., Lian, Y.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Low power Nonvolatile flip-flop (nvFF) Nonvolatile latch (nvLatch) Nonvolatile memory (NVM) Spin-torque transfer MRAM (STT-MRAM) Two-phase write approach
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/54321
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة