A low-power Low-VDD nonvolatile latch using spin transfer torque MRAM
10.1109/TNANO.2013.2280338
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Huang, K., Lian, Y. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/54321 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Performance, power, and reliability tradeoffs of STT-RAM cell subject to architecture-level requirement
بواسطة: Li, H., وآخرون
منشور في: (2013) -
MAGNETIC IMMUNITY AND THERMAL STABILITY ASSESSMENT OF STT-MRAM DEVICES
بواسطة: K SIVABALAN
منشور في: (2022) -
Low-power Robust Complementary Polarizer STT-MRAM (CPSTT) for On-chip Caches
بواسطة: Fong, Xuanyao, وآخرون
منشور في: (2019) -
Complimentary Polarizers STT-MRAM (CPSTT) for On-Chip Caches
بواسطة: Fong, Xuanyao, وآخرون
منشور في: (2019) -
MRAM device incorporating single-layer switching via rashba-induced spin torque
بواسطة: Guo, J., وآخرون
منشور في: (2014)