Ballistic graphene nanoribbon metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: A full real-space quantum transport simulation
10.1063/1.2775917
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liang, G., Neophytou, N., Lundstrom, M.S., Nikonov, D.E. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55184 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Theoretical study of graphene nanoribbon field-effect transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Contact effects in graphene nanoribbon transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Computational study of double-gate graphene nano-ribbon transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Width effects in ballistic graphene nanoribbon FETs
بواسطة: Liang, G.
منشور في: (2014) -
Ballistic transport performance of silicane and germanane transistors
بواسطة: Low, K.L., وآخرون
منشور في: (2014)