Performance comparison of armchair-edged and nitrogen-doped zigzag-edged graphene nanoribbon Schottky barrier field-effect transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Lam, K.-T., Peck, Y.-Z., Lim, Z.-H., Liang, G.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: density functinoal theory; field-effect transistor; graphene nanoribbon; Schottky barrier; simulation
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84074

10.1109/INEC.2011.5991642