Electrostatics of ultimately thin-body tunneling FET Using graphene nanoribbon

10.1109/LED.2010.2103372

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Lam, K.-T., Yang, Y., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C., Liang, G.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Electrostatics graphene tunneling transistors
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55856
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة