Device physics and characteristics of graphene nanoribbon tunneling FETs

10.1109/TED.2010.2065809

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chin, S.-K., Seah, D., Lam, K.-T., Samudra, G.S., Liang, G.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Dirac equation graphene nanoribbons (GNR) nonequilibrium Green's function (NEGF) tunneling FET
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82148
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة