Strained p-channel FinFETs with extended Π-shaped silicon-germanium source and drain stressors

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, K.-M., Liow, T.-Y., Lee, R.T.P., Hoe, K.M., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Extended-II; FinFET; Multiple gate; SiGe; Source/drain stressors; Strain; Stress
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57525

10.1109/LED.2007.905406