Platinum germanosilicide as source/drain contacts in P-channel fin field-effect transistors (FinFETs)
10.1109/TED.2009.2021351
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82918 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |