Thermal transient response of GaAs FETs under intentional electromagnetic interference (IEMI)

• المؤلفون الرئيسيون: Xu, J., Yin, W.-Y., Mao, J.-F., Li, L.-W.J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Breakdown; Electromagnetic pulses (EMPs); GaAs field-effect transistors (FETs); Intentional electromagnetic interference (IEMI); Maximum channel temperature; Nonlinear finite-element method (FEM); Silicon FET; Transient thermal response
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57653
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/TEMC.2008.922792