Experimental study of the Fowler-Nordheim tunneling induced degradation of LDD PMOSFET's

10.1109/16.277367

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Pan, Y.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62169
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!