Scaling Parameter Dependent Drain Induced Barrier Lowering Effect in Double-Gate Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Samudra, G., Rajendran, K.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Analytical model Deep sub-micron Double-gate Poisson equation SOI MOSFET
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62732
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة