Design of superjunction power MOSFET devices using the gradient oxide-bypassed structure

Proceedings of the International Conference on Power Electronics and Drive Systems

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chen, Y., Liang, Y.C., Samudra, G.S.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Conference or Workshop Item
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/69873
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!