Thermal effect simulation of GaN HFETs under CW and pulsed operation

10.1093/ietele/e90-c.1.204

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Xu, J., Yin, W.-Y., Mao, J., Li, L.-W.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	CW GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs) Maximum temperature PW Thermal simulation
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72012
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة