Hot-carrier induced degradation of polysilicon and tungsten polycide gate MOSFETs under maximum substrate and gate current stresses

• المؤلفون الرئيسيون: Lou, C.L., Chim, W.K., Chan, D.S.H., Pan, Y.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80545

10.1088/0268-1242/11/10/005