MOCVD growth and characterization of GaN films with composite intermediate layer buffer on Si substrate

• المؤلفون الرئيسيون: Zhang, X., Chua, S.J., Feng, Z.C., Chen, J., Lin, J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80730

10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:13.0.CO;2-Q