Characterization of inductively coupled plasma etched surface of GaN using Cl2/BCl3 chemistry
10.1116/1.1392400
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82042 |
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| 機構: | National University of Singapore |