Germanium source and drain stressors for ultrathin-body and nanowire field-effect transistors

10.1109/LED.2008.2000669

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lee, R.T.P., Zhu, M., Tan, B.L.-H., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Compliance FinFET Germanium Multiple-gate transistor (MuGFET) Strain Stress
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82414
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة