Impact of local strain from selective epitaxial germanium with thin Si/SiGe buffer on high-performance p-i-n photodetectors with a low thermal budget

• المؤلفون الرئيسيون: Loh, W.Y., Wang, J., Ye, J.D., Yang, R., Nguyen, H.S., Chua, K.T., Song, J.F., Loh, T.H., Xiong, Y.Z., Lee, S.J., Yu, M.B., Lo, G.Q., Kwong, D.L.
• مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Ge-on-silicon; Heterojunctions; Near-infrared; Optical communications; Photodetector
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82497

10.1109/LED.2007.906814