In situ surface passivation and CMOS-compatible palladium-germanium contacts for surface-channel gallium arsenide MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Chin, H.-C., Zhu, M., Tung, C.-H., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Dielectric films; GaAs; High-κ; High-permittivity; III-V compound semiconductors; Mobility; MOSFET; Semiconductor device fabrication; Semiconductor devices; Surface passivation
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82520
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2008.921393