MIM capacitors using atomic-layer-deposited high-κ (HfO2)1-x(Al2O3)x dielectrics

10.1109/LED.2002.807703

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Hu, H., Zhu, C., Yu, X., Chin, A., Li, M.F., Cho, B.J., Kwong, D.-L., Foo, P.D., Yu, M.B., Liu, X., Winkler, J.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Dispersion High-κ Metal-insulator-metal (MIM) capacitor Thin-film devices Voltage linearity
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82701
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة