Modelling temperature dependence on AlGaN/GaN power HEMT device characteristics

• المؤلفون الرئيسيون: Wang, Y.-H., Liang, Y.C., Samudra, G.S., Chang, T.-F., Huang, C.-F., Yuan, L., Lo, G.-Q.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82715
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1088/0268-1242/28/12/125010