Phase change liner stressor for strain engineering of P-channel FinFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Ding, Y., Cheng, R., Koh, S.-M., Liu, B., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: FinFET; Ge2Sb2Te5 (GST); Multigate FET; Phase change; Strai
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82884

10.1109/TED.2013.2271643