Schottky barrier height tuning of silicides on p-type Si (100) by aluminum implantation and pulsed excimer laser anneal

• المؤلفون الرئيسيون: Koh, S.-M., Wang, X., Thanigaivelan, T., Henry, T., Erokhin, Y., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82999
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1063/1.3645018