Tunable stress and controlled thickness modification in graphene by annealing

10.1021/nn800031m

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Ni, Z.H., Wang, H.M., Ma, Y., Kasim, J., Wu, Y.H., Shen, Z.X.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Annealing Defects Graphene Raman Stress
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83223
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة