Schottky-barrier si nanowire mosfet: Effects of source/drain metals and gate dielectrics

• المؤلفون الرئيسيون: Yang, W., Whang, S., Lee, S., Zhu, H., Gu, H., Cho, B.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84161
• المؤسسة: National University of Singapore

Materials Research Society Symposium Proceedings