Self-aligned NiGeSi contacts on gallium arsenide for III-V MOSFETs

10.1149/1.3487634

Saved in:
書目詳細資料
Main Authors: Zhang, X., Guo, H., Chin, H.-C., Gong, X., Lim, P.S.Y., Yeo, Y.-C.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Conference or Workshop Item
出版: 2014
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84166
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
機構: National University of Singapore