Erratum: Strain relaxation due to V-pit formation in In xGa 1-xN/GaN epilayers grown on sapphire (Journal of Applied Physics (2005) 98 (084906))

• المؤلفون الرئيسيون: Song, T.L., Chua, S.J., Fitzgerald, E.A.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Others
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84403

10.1063/1.2168511