Oxygen-vacancy-related relaxation and scaling behaviors of Bi 0.9La0.1Fe0.98Mg0.02O3 ferroelectric thin films
10.1103/PhysRevB.82.024102
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/86622 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | National University of Singapore |