Conductance decay of a surface hydrogen tunneling junction fabricated along a Si(001)- (2×1 ) -H atomic wire
10.1103/PhysRevB.81.195316
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Kawai, H., Yeo, Y.K., Saeys, M., Joachim, C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | CHEMICAL & BIOMOLECULAR ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/88681 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A theoretical study of atomic wires and atomic junctions created on a Molybdenum disulfide surface
بواسطة: Otalvaro, D.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Dependency of the tunneling decay coefficient in molecular tunneling junctions on the topography of the bottom electrodes
بواسطة: Yuan, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
The effect of hydrogen adsorption on the magnetic properties of Fe adatoms on Si(001)
بواسطة: Kishi, Tomoya, وآخرون
منشور في: (2004) -
Length-dependent conductance of molecular wires and contact resistance in metal–molecule–metal junctions
بواسطة: Liu, Hongmei, وآخرون
منشور في: (2012) -
Diffusion of a Si atom on the Si(001)-2×1 surface: A Monte Carlo study
بواسطة: Toh, C.P., وآخرون
منشور في: (2014)