Two-dimensional AlGaInP/GaInP photonic crystal membrane lasers operating in the visible regime at room temperature

Two-dimensional AlGaInP/GaInP photonic crystal membrane lasers operating in the visible regime at room temperature

10.1063/1.2430488

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chen, A., Chua, S.J., Xing, G.C., Ji, W., Zhang, X.H., Dong, J.R., Jian, L.K., Fitzgerald, E.A.
مؤلفون آخرون:	PHYSICS
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/98474
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

Band offsets at GaInP/AlGaInP(001) heterostructures lattice matched to GaAs
بواسطة: Zhang, X.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Band offsets at GaInP/AlGaInP(001) heterostructures lattice matched to GaAs
بواسطة: Zhang, X. H., وآخرون
منشور في: (2013)

Electrical and optical characterization of GaInP based heterostructures
بواسطة: Lui, Poh Yong.
منشور في: (2008)

Electron cyclotron resonance (ECR) plasma etching study of GaAs and GaInP
بواسطة: Ng, Tien Khee.
منشور في: (2008)

Epitaxy and characterization of AlGaInP-based LEDs on Si substrates for visible-spectrum light emission
بواسطة: Wang, Cong
منشور في: (2017)

Analysis and design of AlGaInP single-quantum-well LED
بواسطة: Lee, Liang Pao, وآخرون
منشور في: (2014)

Performance of AlGaInP LEDs on silicon substrates through low threading dislocation density (TDD) germanium buffer layer
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2020)

First-principles calculations of band offsets of AlxGa1-xP-GaP(001) heterostructures
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
بواسطة: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of dislocations and traps in MBE grown p-InGaAs/GaAs heterostructures
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Dislocations and traps in MBE grown lattice mismatched p-InGaAs/GaAs layers on GaAs substrates
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
بواسطة: Au Yeung, Tin Cheung.
منشور في: (2008)

Telecom single-photon emitters in GaN operating at room temperature: Embedment into bullseye antennas
بواسطة: Meunier, Max, وآخرون
منشور في: (2023)

Dislocations and related traps in p-InGaAs/GaAs lattice-mismatched heterostructures
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

A study of InGaP/GaAs/InGaP composite collector double heterojunction bipolar transistor and GaAs delta-doped emitter bipolar junction transistor
بواسطة: Lew, Kim Luong.
منشور في: (2008)

Features of InGaAlAs/InP heterostructures
بواسطة: Ramam, A., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014)

High quality GaN grown from a nanoporous GaN template
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

High-Frequency Characteristics of InGaP/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor Epitaxially Grown on 200 mm Ge/Si Wafers
بواسطة: Khai, L.W., وآخرون
منشور في: (2021)

Surface states of GaP (110)
بواسطة: Ong, C.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Strain relaxation in graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Fabrication and characterization of nano-porous GaN template for strain relaxed GaN growth
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

1. KABALIKAT holds GA [p. 1]; 2. Announcement [p. 1]
بواسطة: N/A, N/A
منشور في: (2004)

GaAs/AlGaAs (111)A-based and InGaAsP based quantum well infrared photodetectors
بواسطة: Li, Hui
منشور في: (2008)

Phenomenon of drain current instability on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
بواسطة: Chang, T.-F., وآخرون
منشور في: (2016)

Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission
بواسطة: Liang, Y. Y., وآخرون
منشور في: (2013)

MOCVD growth of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors on 200 mm Si wafers for heterogeneous integration with Si CMOS
بواسطة: Loke, Wan Khai, وآخرون
منشور في: (2020)

Monolithic semiconductor saturable absorber mirror with strain-compensated GaInAs/GaAsP quantum wells
بواسطة: Xiang, N., وآخرون
منشور في: (2014)

Deep level states caused by dislocations in MBE grown p-InGaAs/GaAs heterostructures
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

P-type doping in GaN through Be implantation
بواسطة: Feng, Z.C., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaAs optical phonon replicas in the photoluminescence spectra of GaAs layer in an Al0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

250 MHZ to 30 GHZ, unilateral circuitmodel for InGaP/GaAs HBT
بواسطة: Thein, Than Tun, وآخرون
منشور في: (2013)

Electronic structure of (111)-GaAsP/AlGaAs strained-layer quantum wells
بواسطة: Zhang, X., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of the optical properties of InGaAsN∕GaAs∕GaAsP multiple-quantum-well laser with 8-band and 10-band k[middle dot]p model
بواسطة: Ng, S. T., وآخرون
منشور في: (2013)

Self-defocusing in GaP induced by band-gap resonant nonlinear refraction
بواسطة: Ji, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Annihilation of threading dislocations in strain relaxed nano-porous GaN template for high quality GaN growth
بواسطة: Hartono, H., وآخرون
منشور في: (2014)

High-frequency characteristics of InGaP/GaAs double heterojunction bipolar transistor epitaxially grown on 200 mm Ge/Si wafers
بواسطة: Loke, Wan Khai, وآخرون
منشور في: (2020)

THEORETICAL COMPARISON OF TENSILE STRAINED InGaAs/InAlGaAs AND InGaAs/InGaAsP QW LASERS EMITTING AT 1.55 ?M
بواسطة: KHOO HONG KHAI
منشور في: (2020)