Integrated approach for low-temperature synthesis of high-quality silicon nitride films in PECVD using RF-UHF hybrid plasmas

© 2016 IOP Publishing Ltd. This study investigates low-temperature plasma nitriding of hydrogenated silicon (SiN x :H) film in radio frequency (RF) and RF-ultra-high frequency (UHF) hybrid plasmas. To study the optimized conditions for the deposition of SiN X :H film, this work adopts a systematic p...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sahu B., Shin K., Han J.
التنسيق: دورية
منشور في: 2017
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84957895200&origin=inward
http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/42158
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Chiang Mai University